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公司新聞

解析高純試劑以及高純試劑分類

發布時間: 2018-08-24 19:34   894 次瀏覽

     純度遠高於優級純的試劑叫做高純試劑。是在通用試劑基礎上發展起來的,是為了專門的使用目的而用特殊方法生產的純度的試劑。高純試劑控製的是雜質項含量,基準試劑控製的是主含量,基準試劑可用標準溶液的配製,但高純試劑不能用於標準溶液的配製(單質氧化物除外)。

  目前在國際上也無統一的明確規格,我國除對少數產品製定了國家標準外,大部分高純試劑的質量標準還很不統一,在名稱上也有高純、超純、特純、光譜純、電子純等不同叫法。一般以9來表示產品的純度。故在規格欄中標以2個9、3個9、4個9以此類推,根據這個原則可將高純物質分為:

  雜質總含量不大於1.5×10-2%,其純度為3.5個9(99.95)簡寫為3.5N

  雜質總含量不大於1.0×10-2%,其純度為4個9(99.99)簡寫為4.0N

  雜質總含量不大於1.0×10-3%,其純度為5個9(99.999)簡寫為5N

  對高純試劑或高純元素純度或雜質含量的檢驗,一般常用原子吸收光譜、原子發射光譜、色譜、質譜比色化學分析等方法進行測定。其陰離子規格原則上參照試劑優級標準,沒有優級標準的產品由生產單位自行製定。根據用途不同,把高純試劑又分成幾大類:

  普通離純試劑

  是指一些高純單質金屬、氧化物、金屬鹽類等,常用於原子能工業材料、電子工業材料、半導體基礎材料等,金屬單質的氧化物、用來配製標準溶液和作為標準物質,該類試劑常要求含量在4N-6N之間。

  超淨電子純試劑

  超淨高純試劑是集成電路(IC)製造工藝中的專用化學品,用於矽片清洗、光刻、腐蝕工序中。對這種高純試劑中可溶性雜質和固態微粒要求非常嚴格,為適應IC集成度不斷提高的需求,國際上半導體工業協會(SemiconductorIndustryAssociation)近來推出Semic7(適合0.8-1.2微米工藝技術)和Semic8(適合於0.2-0.6微米工藝技術)級別的試劑質量標準。我國在原有MOS級、BV-I級試劑的基礎上,又製定出BV-II級和BV-III級試劑標準(相當於Semic7)。我研究所也研製多種MOS級、BV-I級BV-II級和部分BV-III級試劑,其顆粒度(0.5微粒顆粒)≤25-100個∕ml,金屬雜質總量≤10-3—10-5﹪

  光刻膠高純試劑

  光刻工藝是一種表麵加工技術,在半導體電子器件和集成電路製造中占有重要地位。為在表麵實現選擇性腐蝕,采用一類具有抗蝕作用的感光樹脂材料作為抗蝕塗層,稱為抗蝕劑,國內通稱光刻膠。按照溶解度的不同而將光刻膠分為“正性”光刻膠和“負性”光刻膠,按所用曝光光源和輻射光源的不同,又可將其分為紫外、遠紫外、電子束、X射線等光刻膠。

  光刻膠是微細圖形加工的一種關鍵試劑,要求水分低、金屬雜質含量低(≤10-6)

  磨拋光高純試劑

  是指用於矽單晶片表麵的研磨和拋光的高純度試劑。它又分磨粉(三氧化二鋁)和磨液(水和油劑),能研磨表麵達到微米級加工精度。這類試劑要求顆粒粒度小(納米),純度高,金屬雜質一般要求2.0×10-4—5×10-5﹪

  液晶高純試劑

  液晶是一類電子化學材料,是指在一定溫度範圍內呈現介於固相和液相之間的中間相的有機物。它既有液態的流動性也有晶態的各向異性,有時人稱他為第四態。

  液晶種類繁多,用途廣,前景好的要屬TN(低檔)、STN(中高檔)、TFT(高檔)型。TN、STN及TFT三種型號所組成的單體液晶,主要包括芳香酯類、聯苯類、苯基環已烷類、鐵電類以及含氟液晶品等五種,它們是當今及今後使用及發展的主要對象。這類高純試劑要求含量高(≥99﹪),水分含量低(≤10-6),金屬雜質含量少(≤10-6)。